Numerische Simulation des elektrischen Asymmetrie Effekts in geometrisch asymmetrischen RF-Entladungen

Daniel Szeremley, Ralf Peter Brinkmann, Thomas Mussenbrock

PT 15, Stuttgart, Ger­ma­ny, 28.02-02.03 2011,


Abstract

In Beschichtungsprozessen spielen kapazitiv gekoppelte Plasmen eine immer größere Bedeutung. Für diese Art von Plasmaprozessen sind kapazitiv gekoppelte Entladungen mit nur einer Frequenz häufig nicht anwendbar. Der Ionenfluss und die Energie der auf das Substrat auftreffenden Ionen können nicht separat gesteuert werden. Dies gilt sowohl für geometrisch symmetrische als auch für asymmetrische Entladungen. Um diesem Effekt entgegenzuwirken kann man den Elektrischen Asymmetrie-Effekt nutzen.

In dieser Veröffentlichung wird nun der elektrische Asymmetrie-Effekt in einer geometrisch asymmetrischen RF-Entladung durch eine Particle-In-Cell-Simulation untersucht.

Es wird gezeigt, dass der DC-Self Bias und damit auch die Ionenenergie über eine geeignete Wahl der beiden Anregungsfrequenzen kontrolliert werden können.

Tags: elektrischer asymmetrie effekt, Numerische Simulation, RF Entladung