Veranstaltung: Halbleitertechnologie 2

Nummer:
141388
Lehrform:
Vorlesung und Übungen
Medienform:
Folien, Handouts, Tafelanschrieb
Verantwortlicher:
Prof. Dr.-Ing. Martin Hoffmann
Dozent:
Prof. Dr.-Ing. Martin Hoffmann (ETIT)
Sprache:
Deutsch
SWS:
3
LP:
4
Angeboten im:
Sommersemester

Termine im Sommersemester

  • Beginn: Mittwoch den 03.04.2019
  • Vorlesung Mittwochs: ab 08:30 bis 10.00 Uhr im ID 04/653
  • Vorlesung Mittwochs: ab 10:15 bis 11.00 Uhr im ID 04/653

Prüfung

Termin nach Absprache mit dem Dozenten.

Prüfungsform:mündlich
Prüfungsanmeldung:FlexNow
Dauer:30min

Ziele

In diesem Block werden insbesondere die Technologien der Mikrosytemtechnik vorgestellt, die über die Erzeugung reiner Elektronik-Strukturen hinausgehen, aber weitgehend auf Prozessen der Halbleitertechnologie aufsetzen. Sie umfassen auch Verfahren, die geeignet sind, mechanische und fluidische Systeme zu fertigen. Es wird jeweils auf konkrete Anwendungen Bezug genommen.

Die Studierenden sollen die verschiedenen Verfahren der additiven und subtraktiven Erzeugung von Strukturen kennenlernen und ihre Vor- und Nachteile abwägen können. In dieser Vorlesung wird auch auf die prozesstechnischen Randbedingungen (Vakuum, Grundlagen der Plasmatechnik) sowie die Reinraumtechnik eingegangen, soweit sie zum Verständnis der Prozesse notwendig sind.

Inhalt

  • Gegenüberstellung makroskopischer und mikroskopischer Fertigungstechniken
  • Grenzen und Möglichkeiten der Optischen Mikroskopie
  • Verunreinigungen & Reinraumtechnik zur Vermeidung
  • Silicium als mikromechanisches Material
  • Physikalische Gasphasenabscheidung: Spezifische Eigenschaften von Sputtern und Aufdampfen
  • Funktionsmaterialien: Piezoelektrisches Aluminiumnitrid, Opfer- und Strukturmaterialien, reaktive Schichtsysteme, Glanzwinkel-Abscheidung von Nanostrukturen
  • Additive Verfahren: Gasphasenabscheidung, Galvanik und stromlose Abscheidung
  • LIGA - Lithografie und Galvanoabformung: Entwicklung & Anwendung
  • Trockenätzprozesse: von hochselektiv bis massiv anisotrop
  • Dreidimensionale Strukturen in Silicium: anisotrope Nassätzprozesse
  • Einführung in die Nanoimprint-Lithografie (NIL)

Voraussetzungen

Keine

Empfohlene Vorkenntnisse

Bachelor der Elektrotechnik; Vorkenntnisse in Technologie sind hilfreich, aber nicht notwendig!