course: Halbleitertechnologie 2

number:
141388
teaching methods:
lecture with tutorials
media:
overhead transparencies, handouts, black board and chalk
responsible person:
Prof. Dr.-Ing. Martin Hoffmann
lecturer:
Prof. Dr.-Ing. Martin Hoffmann (ETIT)
language:
german
HWS:
3
CP:
4
offered in:
summer term

dates in summer term

  • start: Wednesday the 03.04.2019
  • lecture Wednesdays: from 08:30 to 10.00 o'clock in ID 04/653
  • lecture Wednesdays: from 10:15 to 11.00 o'clock in ID 04/653

Exam

Date according to prior agreement with lecturer.

Form of exam:oral
Registration for exam:FlexNow
Duration:30min

goals

In diesem Block werden insbesondere die Technologien der Mikrosytemtechnik vorgestellt, die über die Erzeugung reiner Elektronik-Strukturen hinausgehen, aber weitgehend auf Prozessen der Halbleitertechnologie aufsetzen. Sie umfassen auch Verfahren, die geeignet sind, mechanische und fluidische Systeme zu fertigen. Es wird jeweils auf konkrete Anwendungen Bezug genommen.

Die Studierenden sollen die verschiedenen Verfahren der additiven und subtraktiven Erzeugung von Strukturen kennenlernen und ihre Vor- und Nachteile abwägen können. In dieser Vorlesung wird auch auf die prozesstechnischen Randbedingungen (Vakuum, Grundlagen der Plasmatechnik) sowie die Reinraumtechnik eingegangen, soweit sie zum Verständnis der Prozesse notwendig sind.

content

  • Gegenüberstellung makroskopischer und mikroskopischer Fertigungstechniken
  • Grenzen und Möglichkeiten der Optischen Mikroskopie
  • Verunreinigungen & Reinraumtechnik zur Vermeidung
  • Silicium als mikromechanisches Material
  • Physikalische Gasphasenabscheidung: Spezifische Eigenschaften von Sputtern und Aufdampfen
  • Funktionsmaterialien: Piezoelektrisches Aluminiumnitrid, Opfer- und Strukturmaterialien, reaktive Schichtsysteme, Glanzwinkel-Abscheidung von Nanostrukturen
  • Additive Verfahren: Gasphasenabscheidung, Galvanik und stromlose Abscheidung
  • LIGA - Lithografie und Galvanoabformung: Entwicklung & Anwendung
  • Trockenätzprozesse: von hochselektiv bis massiv anisotrop
  • Dreidimensionale Strukturen in Silicium: anisotrope Nassätzprozesse
  • Einführung in die Nanoimprint-Lithografie (NIL)

requirements

Keine

recommended knowledge

Bachelor der Elektrotechnik; Vorkenntnisse in Technologie sind hilfreich, aber nicht notwendig!

materials

presentation slides: