course: Master Project HFET technology

number:
148232
teaching methods:
project
responsible person:
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Kunze
Lecturers:
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Kunze (ETIT), Dipl.-Ing. Michael Szelong (ETIT), Dr.-Ing. Liudmila Znajdova (ETIT)
language:
german
HWS:
3
CP:
3
offered in:

Exam

All statements pertaining to examination modalities (for the summer/winter term of 2020) are given with reservations. Changes due to new requirements from the university will be announced as soon as possible.
Form of exam:project
Registration for exam:None
continual assessment

goals

Die Studierenden haben praktisches Verständnis von Halbleitertechnologie und Bauelementcharakterisierung erworben.

content

Das Projekt HFET-Technologie ist in zwei Abschnitte gegliedert. Im ersten Abschnitt wird der vollständige technologische Prozess zur Herstellung eines GaAs/AlGaAs Hetero-Feldeffekttransistors praktisch vermittelt. Nach Herstellung eines funktionstüchtigen Transistors wird dieser im zweiten Abschnitt durch Gleich- und Wechselstrom-Messungen elektrisch charakterisiert. Praktische Fähigkeiten werden insbesondere in den Bereichen Fotolithografie, Strukturübertragung, Kontaktpräparation sowie bei der elektrischen Charakterisierung des Transistors erarbeitet.

requirements

keine

recommended knowledge

  • Grundlagen Halbleitertechnologie
  • Vorlesung Nanoelektronik
  • Vorlesung Festkörperelektronik
  • Schwerpunkt Mikro- und Nanoelektronik